Diodo laser a barra singola 808nm 40W con obiettivo Fisba FAC

Diodo laser a barra singola 808nm 40W con obiettivo Fisba FAC

Oggetto numero. CC808SB40
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Descrizione

Diodo laser a barra singola 808nm 40W con obiettivo Fisba FAC


Info Veloci:

La potenza massima per una singola barra può arrivare fino a 80 W

Con obiettivo Limo/Fisba/FAC generico

A norma RoHS

Tecnologia di montaggio AuSn per telecomunicazioni

Profilo del fascio uniforme, spettro stretto

Configurazione standard e pacchetto di progettazione del cliente


Applicazione:

Lavorazione del materiale

Ricerca scientifica

Difesa

Fonte di luce


CS Laser Diode


Scheda dati

Oggetto numero. CC808SB40

Ottico
Lunghezza d'onda centrale 808nm
Tolleranza sulla lunghezza d'onda ±5nm
Potenza di uscita 40W
Larghezza spettrale FWHM 4nm
Efficienza della pendenza ~1.1W/A
Elettrico
Iop corrente di esercizio 43A
Soglia corrente Ith 10A
Tensione di esercizio Vop 1.8V
Efficienza di conversione di potenza 50%
Termico
temperatura di esercizio 15~30℃
Temperatura di conservazione 0-55℃
Coefficiente di temperatura ~0.3nm/℃

Disegno


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Etichetta sexy: Diodo laser a barra singola 808nm 40w con fornitori di lenti fac fisba, produttori Cina, fabbrica, commercio all'ingrosso, made in China