Descrizione
Barra laser non montata CW da 100 W 808 nm
Panoramica
Caratteristiche:
Tecnologia unica per la massima affidabilità e durata
Potenza: 100 W orario
Opzioni di polarizzazione TE
Alta efficienza
Ampia varietà di configurazioni della barra (larghezza dell'emettitore, fattore di riempimento e lunghezza della cavità)
Applicazione:
Moduli laser a semiconduttore
Lavorazione dei materiali
Dermatologia e chirurgia.
Comunicazione ottica nello spazio libero

Specifica:
Articolo n.: LC808SB100
Nome dell'articolo: Chip laser a barra singola da 100 W 808 nm CW
| Ottico | Tip |
| Lunghezza d'onda centrale | 808 nm |
| Potenza in uscita | 100W |
| Modalità di lavoro | CW |
| Larghezza dello spettro | 4nm |
| Numero di emettitore | 47 |
| Larghezza dell'emettitore | 100μm |
| Passo dell'emettitore | 200μm |
| Fattore di riempimento | 50% |
| Larghezza barra | 10000μm |
| Lunghezza della cavità | 1500μm |
| Spessore | 125μm |
| Divergenza dell'asse veloce (FWHM) | 39Deg |
| Divergenza dell'asse lento (FWHM) | 10° |
| Efficienza della pendenza | 1.15W/A |
| Elettrico | |
| Corrente operativa Iop | 105A |
| Corrente di soglia Ith | 18A |
| Tensione operativa Vop | 1.8V |
| Efficienza di conversione | 55% |
| Termico | |
| Temperatura operativa | 15-35 gradi |
| Coefficiente di temperatura della lunghezza d'onda | 0,28 nm/grado |
Grafico PIV
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