Barra laser a diodi non montata da 200 W 808 nm

Barra laser a diodi non montata da 200 W 808 nm

chip laser a barra singolaQCW
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Descrizione

 

Chip diodo laser a barra singola da 200 W 808 nm, QCW, chip nudi non collegati su supporto secondario

Panoramica del prodotto: questo prodotto è ampiamente utilizzato nella lavorazione industriale, medica, stampa, ricerca scientifica, illuminazione, display laser e altri campi. Siamo in grado di fornire ai clienti alta potenza, lunga durata, grande qualità, design OEM di diversa potenza, diverso lunghezze d'onda dei chip laser, anche personalizzate necessarie.



Operazione:
Lunghezza d'onda centrale 808nm
Potenza di uscita ottica 200W
Modalità di funzionamento CW
Modulazione di potenza 100%
geometrico:
Numero di emettitori 60
Larghezza emettitore 120um
Passo dell'emettitore 160um
Fattore di riempimento 75%
Larghezza barra 10000um
Lunghezza cavità 1000um
Spessore 125um
Dati elettro-ottici:
Divergenza dell'asse veloce (FWHM) 39 gradi
Divergenza asse lento (FWHM) 10°
Larghezza di banda spettrale (FWHM) 4nm
Lunghezza d'onda dell'impulso 803nm
Efficienza della pendenza 1.2W/A
Efficienza di conversione 50%
Corrente di soglia 1.9~2A
Corrente di esercizio 150~160A
Tensione di esercizio 1.9~2.1V
Caratteristiche della temperatura 0.28nm/℃
Polarizzazione TE
Temperatura di esercizio LD 25℃








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Dettagli dei prodotti

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Grafico PIV



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