Chip laser a diodi da 3 W

Wavelength: 940 nm ; High power conversion efficiency: >35%

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Descrizione

Chip laser a diodi da 3 W

Descrizione del prodotto

Il principio di base dei chip laser a diodi EEL 3W (Edge-Edging Laser) è il processo di generazione di fotoni attraverso la radiazione stimolata. La struttura del laser EEL comprende principalmente tre parti: area attiva del semiconduttore, sorgente della pompa e cavità risonante ottica. L'area attiva è l'area centrale della generazione laser. La sorgente della pompa fornisce energia per eccitare gli elettroni nell'area attiva, mentre la cavità ottica risonante è responsabile della selezione della modalità e dell'amplificazione dei fotoni e infine forma un raggio laser

Chip laser a diodi progettati per applicazioni ToF a corto-raggio

• Lunghezza d'onda: 940 nm

• High power conversion efficiency: >35%

• Potenza di picco: 3 W