Chip laser a diodi 830 nm 2 W

Descrizione del prodotto
I chip laser a diodi da 830 nm 2 W sono chip laser a emettitore singolo. Il cosiddetto emettitore singolo è ciò che spesso chiamiamo "chip laser". Il suo processo di produzione è lo stesso di quello del chip semiconduttore, che passa attraverso una serie di processi come la produzione di wafer di silicio, la progettazione di circuiti integrati, la produzione di circuiti integrati, la sigillatura e il test dei circuiti integrati. Il chip finale è chiamato laser a diodo singolo.
L'emettitore laser singolo ha un solo punto luminoso, facile per l'accoppiamento della fibra. Pertanto, è comunemente utilizzato come sorgente di pompaggio del laser a fibra (principalmente di media e bassa potenza), che può ridurre efficacemente l'influenza reciproca degli effetti termici ed è facile da riparare, mantenere e sostituire. Inoltre, la fonte di alimentazione dell'azionamento ad alta tensione e bassa corrente ha una struttura semplice e un basso costo.
Scheda dati:
Articolo n.: LC830SE2
Ottico | |
Lunghezza d'onda centrale | 830 nm |
Potenza in uscita | 2W |
Modalità di lavoro | CW |
Larghezza dello spettro | 2nm |
Larghezza dell'emettitore | 47um |
Passo dell'emettitore | 400um |
Lunghezza della cavità | 2000um |
Spessore | 130um |
Divergenza dell'asse veloce (FWHM) | 35° |
Divergenza dell'asse lento (FWHM) | 9° |
Modalità di polarizzazione | TE |
Efficienza della pendenza | 1.2W/A |
Elettrico | |
Corrente operativa Iop | 2A |
Corrente di soglia Ith | 0.25A |
Tensione operativa Vop | 1.8V |
Efficienza di conversione | 58% |
Termico | |
Temperatura operativa | 15-35 grado |
Coefficiente di temperatura della lunghezza d'onda | 0.28 nm/grado |
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