Chip laser a diodi a semiconduttore ad alta potenza da 200 W 808 nm per la lavorazione dei materiali
Caratteristiche:
- Alta potenza, alta affidabilità e stabilità
- Modalità di lavoro QCW, modalità di polarizzazione TE
- Efficiente tecnologia di dissipazione del calore dell'imballaggio
- Long lifetime>10000 ore
Applicazione:
- Lavorazione dei materiali,
- Riscaldamento o illuminazione
- Sorgenti di pompaggio per laser a fibra e a stato solido-
- Utilizzo nella tecnologia della stampa

Chip laser a diodi a barra singola da 200 W 808 nm ad alta potenza con elevata potenza di uscita, modalità di lavoro QCW. Utilizzo in molti campi diversi, come l'industria, la medicina, la lavorazione dei materiali, il riscaldamento e l'illuminazione, ecc. Il nostro personale di ricerca migliora e innova costantemente la tecnologia di elaborazione nel processo di produzione, sulla base della conoscenza professionale e dell'esperienza accumulata a lungo-termini.

Scheda dati
Articolo n.:LC808SB200
Nome dell'articolo:Chip laser a diodi ad alta potenza a semiconduttore
| Operazione | |
| Lunghezza d'onda centrale | 808 nm |
| Potenza in uscita | 200W |
| Modalità operativa | QCW |
| Polarizzazione | TE |
| Efficienza della pendenza | 1.2W/A |
| Larghezza dell'emettitore | 120um |
| Lunghezza della cavità | 1500um |
| Spessore della cavità | 120um |
| Larghezza della cavità | 160um |
| Elettrico | |
| Corrente di soglia | 25A |
| Corrente operativa | 190A |
| Tensione operativa | 1.9V |
| Termico | |
| Temperatura operativa | 15~35 gradi |
| Coefficiente di temperatura della lunghezza d'onda | 0,28 nm/grado |
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