Chip laser a diodi ad alta potenza a semiconduttore

Chip laser a diodi ad alta potenza a semiconduttore

Articolo n.:LC808SB200
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Descrizione

Chip laser a diodi a semiconduttore ad alta potenza da 200 W 808 nm per la lavorazione dei materiali

 

Caratteristiche:

  • Alta potenza, alta affidabilità e stabilità
  • Modalità di lavoro QCW, modalità di polarizzazione TE
  • Efficiente tecnologia di dissipazione del calore dell'imballaggio
  • Long lifetime>10000 ore

Applicazione:

  • Lavorazione dei materiali,
  • Riscaldamento o illuminazione
  • Sorgenti di pompaggio per laser a fibra e a stato solido-
  • Utilizzo nella tecnologia della stampa
Semiconductor High Power Diode Laser Chip

 

Chip laser a diodi a barra singola da 200 W 808 nm ad alta potenza con elevata potenza di uscita, modalità di lavoro QCW. Utilizzo in molti campi diversi, come l'industria, la medicina, la lavorazione dei materiali, il riscaldamento e l'illuminazione, ecc. Il nostro personale di ricerca migliora e innova costantemente la tecnologia di elaborazione nel processo di produzione, sulla base della conoscenza professionale e dell'esperienza accumulata a lungo-termini.

 

LASER CHIP

Scheda dati

Articolo n.:LC808SB200

Nome dell'articolo:Chip laser a diodi ad alta potenza a semiconduttore

Operazione
Lunghezza d'onda centrale 808 nm
Potenza in uscita 200W
Modalità operativa QCW
Polarizzazione TE
Efficienza della pendenza 1.2W/A
Larghezza dell'emettitore 120um
Lunghezza della cavità 1500um
Spessore della cavità 120um
Larghezza della cavità 160um
Elettrico
Corrente di soglia 25A
Corrente operativa 190A
Tensione operativa 1.9V
Termico
Temperatura operativa 15~35 gradi
Coefficiente di temperatura della lunghezza d'onda 0,28 nm/grado

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