Diodo laser con attacco F da 20 W 808 nm

Diodo laser con attacco F da 20 W 808 nm

Articolo n.: FM808DL20
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Descrizione

 

 

Diodo laser con attacco F-da 20 W e 808 nm

Caratteristica:

  • Obiettivo FAC: opzionale
  • Potenza in uscita: 20 W
  • Alta affidabilità
 

Applicazione:

  • Ricerca scientifica
  • Estetica medica
  • Ricerca della portata
F-Mount 2

Il nostro prodotto è un chip semiconduttore fabbricato in Germania, con elevata affidabilità e una superficie che vanta una luminosità eccezionale. Sottoposto a test rigorosi, ha dimostrato una stabilità superiore e può resistere a condizioni ambientali difficili. Per i consumatori, questo significa un prodotto che sia al tempo stesso ad alte-prestazioni e perfetto per una varietà di applicazioni.

 

Specifiche:

Articolo n.:FM808DL20

Ottico  
Lunghezza d'onda centrale 808 nm
Tolleranza sulla lunghezza d'onda ±10nm
Potenza in uscita

20W

Obiettivo FAC Opzionale
FWHM ad asse veloce 40°
FWHM ad asse lento 12°
Larghezza dell'emettitore 400um
Elettrico  
Lop corrente operativa 25A
Corrente di soglia Lth 3A
Tensione operativa Vop 2V
Termistore  
Testare la temperatura 25 gradi
Temperatura di conservazione -40~80 gradi
Coefficiente di temperatura della lunghezza d'onda 0,35 nm/grado

 

Disegno:

 

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Etichetta sexy: Fornitori di diodi laser con attacco F da 20 W 808 nm, produttori Cina, fabbrica, commercio all'ingrosso, prodotto in Cina