Diodo laser da 905 nm con montaggio su TO

Diodo laser da 905 nm con montaggio su TO

Caratteristiche:
• Struttura stack di strati luminosi multi-epitassiali.
• L'apertura luminosa è di 200 mu m per 10 mu m.
• Ampia struttura del materiale ad alta potenza LOC a cavità ottica.
• Divergenza del fascio stretto.
• Elevata densità di potenza del laser.

Scheda dati:

Ottico

Lunghezza d'onda centrale λ 905 nm

Tolleranza lunghezza d'onda ±10 nm

Potenza di uscita 75 W

Spettro FWHM 7nm

Divergenza asse veloce 25 gradi

Divergenza lenta dell'asse 11 gradi

Dimensione del fascio 200x10um

Elettrico

Corrente di esercizio Iop 30A

Corrente di soglia 0,75 A

Corrente diretta 24V

Ampiezza impulso 200ns

Frequenza di ripetizione 5KHz

Ciclo di lavoro 0,10%

Tensione inversa 3V

Termico

Temperatura di esercizio -15~85

Temperatura di stoccaggio -40~100℃

Coefficiente di temperatura della lunghezza d'onda 0,28 nm/ºC

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