Matrice orizzontale laser QCW da 2000 W 803 nm
array di diodi laser ad alta potenza specifici per il funzionamento a lunga durata in applicazioni quasi-CW. Questi array presentano un nuovo design del wafer epitassiale che utilizza un'ampia cavità ottica e sono confezionati utilizzando una saldatura AuSn e dissipatori di calore compatibili con CTE.
Ha dato alle bande di lunghezza d'onda 80x e 88x che funzionano a 100-300 Watt per barra. Vengono identificati punti operativi affidabili per varie applicazioni, tra cui il rilevamento della gamma (durata del prodotto inferiore a 1 miliardo di colpi) e la lavorazione industriale (durata del prodotto superiore a 20 miliardi di colpi).
Scheda dati:
Articolo n.: CC803HA2000
| Ottico | |
| Lunghezza d'onda centrale | 803 ± 5 nm |
| Potenza di uscita | 2000W |
| Quantità di barrette | 10 |
| Modalità di lavoro |
QCW |
| Divergenza dell'asse veloce (FWHM) | 40 gradi |
| Divergenza dell'asse lento (FWHM) | 10 gradi |
| Larghezza spettrale FWHM |
6 nm |
| Frequenza | 25 Hz |
| Larghezza di impulso | 400 us |
| Elettrico | |
| Corrente operativa Iop | 200A |
| Corrente di soglia Ith | 25A |
| Tensione di esercizio Vop | 10V |
| Termico | |
| Temperatura di prova | 60 gradi |
| Temperatura di conservazione | -55- più 85 gradi |
| Coefficiente di temperatura della lunghezza d'onda | 0.3 nm/grado |
Disegno del pacchetto:
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