Descrizione
Chip laser a diodi ad alta potenza
Descrizione del prodotto
Rispetto ai laser tradizionali, i chip laser a diodi ad alta potenza presentano i vantaggi di dimensioni ridotte, alta potenza, alta efficienza e lunga durata. Questo perché i chip laser ad alta-potenza adottano un design integrato, integrando vari componenti del laser direttamente sul chip e adottando una tecnologia avanzata di dissipazione del calore, che migliora notevolmente la potenza erogata e l'efficienza del laser
Applicazione:
Semiconduttori per laser a diodi ad alta-potenza nella lavorazione diretta dei materiali, per il riscaldamento o l'illuminazione.
Semiconduttori come sorgenti di pompaggio per laser a fibra e a stato solido-.
Utilizzo nella tecnologia della stampa.
Estetica, dermatologia e chirurgia.

Scheda tecnica:
| Operazione: | ||
| Lunghezza d'onda centrale | 808 nm | |
| Potenza di uscita ottica | 200W | 300W |
| Modalità operativa | QCW | |
| Modulazione di potenza | 100% |
| geometrico: | ||
| Numeri di emettitori | 60 | |
| Larghezza dell'emettitore | 120um | |
| Passo dell'emettitore | 160um | |
| Fattore di riempimento | 75% | |
| Larghezza barra | 10000um | |
| Lunghezza della cavità | 1500um | |
| Spessore | 125um |
| Dati elettro-ottici: | ||
| Divergenza dell'asse veloce (FWHM) | 39° | |
| Divergenza dell'asse lento (FWHM) | 12 gradi | |
| Larghezza di banda spettrale (FWHM) | 4nm | |
| Lunghezza d'onda dell'impulso | 803 nm | |
| Efficienza della pendenza | 1.2W/A | |
| Efficienza di conversione | 55% | |
| Corrente di soglia | 25A | 30A |
| Corrente operativa | 190A | 280A |
| Tensione operativa | 1.9~2.1V | |
| Caratteristiche della temperatura | 0,28 nm/grado | |
| Polarizzazione | TE | |
| Temperatura operativa LD | 25 gradi |
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