Chip laser a diodi ad alta potenza

Chip laser a diodi ad alta potenza

Chip laser ad alta-potenza QCW 200 W 300 W 808 nmChip nudi non fissati sul supporto secondario
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Descrizione

Chip laser a diodi ad alta potenza

Descrizione del prodotto

Rispetto ai laser tradizionali, i chip laser a diodi ad alta potenza presentano i vantaggi di dimensioni ridotte, alta potenza, alta efficienza e lunga durata. Questo perché i chip laser ad alta-potenza adottano un design integrato, integrando vari componenti del laser direttamente sul chip e adottando una tecnologia avanzata di dissipazione del calore, che migliora notevolmente la potenza erogata e l'efficienza del laser

Applicazione:

Semiconduttori per laser a diodi ad alta-potenza nella lavorazione diretta dei materiali, per il riscaldamento o l'illuminazione.
Semiconduttori come sorgenti di pompaggio per laser a fibra e a stato solido-.
Utilizzo nella tecnologia della stampa.

Estetica, dermatologia e chirurgia.

3W Diode Laser Chips
 

 

Scheda tecnica:

 

Operazione:    
Lunghezza d'onda centrale 808 nm  
Potenza di uscita ottica 200W 300W
Modalità operativa QCW  
Modulazione di potenza 100%  
geometrico:    
Numeri di emettitori 60  
Larghezza dell'emettitore 120um  
Passo dell'emettitore 160um  
Fattore di riempimento 75%  
Larghezza barra 10000um  
Lunghezza della cavità 1500um  
Spessore 125um  
Dati elettro-ottici:    
Divergenza dell'asse veloce (FWHM) 39°  
Divergenza dell'asse lento (FWHM) 12 gradi  
Larghezza di banda spettrale (FWHM) 4nm  
Lunghezza d'onda dell'impulso 803 nm  
Efficienza della pendenza 1.2W/A  
Efficienza di conversione 55%  
Corrente di soglia 25A 30A
Corrente operativa 190A 280A
Tensione operativa 1.9~2.1V  
Caratteristiche della temperatura 0,28 nm/grado  
Polarizzazione TE  
Temperatura operativa LD 25 gradi  

 

 

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