Diodo laser VCSEL da 850 nm

Diodo laser VCSEL da 850 nm

Potenza in uscita da 4mW-50W
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Descrizione

Diodo laser VCSEL da 850 nm


Caratteristiche

Laser a emissione superficiale a cavità verticale

850nm VCSEL, è disponibile una lunghezza d'onda di 940nm

Potenza in uscita da 4 mW-50 W, a tua scelta

TO46, pacchetti array opzionali

Tecnologia di isolamento dell'ossido

Tempo di lievitazione breve

Alta affidabilità

Facile da collimare


Applicazioni:

Lidar multicanale

Tenda laser

Sensori del telemetro

Sensori 3D

Rilevamento 3D


500mW 850nm VCSEL Diode

Scheda dati:


Parametri

tip.

Potenza ottica a impulsi

50W

Corrente di soglia

0.1A

Corrente di impulso in avanti

120A

Area di emissione

370*371um

Lunghezza d'onda di picco

850nm

Tensione di impulso in avanti

38V

Angolo del fascio luminoso

20 gradi

Spostamento della lunghezza d'onda

0.07nm/℃

Ora di alzarsi

2ns

Temperatura di saldatura

260℃

Temp. di funzionamento della cassa

-40~85℃

Temp. di archiviazione

-40~105℃


Disegno del pacchetto:

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