Laser VCSEL Array 4W a 940nm

Laser VCSEL Array 4W a 940nm

Dimensione del chip: 1500μm×1540μm
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Descrizione

Chip laser VCSEL da 9 mW 940 nm


Caratteristiche principali

Progettato per applicazioni di rilevamento 3D ad alto volume (ToF, Structured Light, Active stereo, illuminatori flood)

Monomodale longitudinale, multimodale laterale

Potenza di uscita ottica scalabile (0,5-4 W)

Campo lontano simmetrico a forma di ciambella

Montabile in superficie

Funzionamento non ermetico

Alta affidabilità


  • 4W 940nm VCSEL Diode Laser Chip

4W 940nm VCSEL LD


Caratteristiche

Parametro

tip.

Lunghezza d'onda centrale

940±10nm

Potenza di uscita

4W

Larghezza spettri

3nm

Efficienza della pendenza

0.95W/A

Corrente di soglia

1200A

Lunghezza d'onda Temp. Coefficiente

0.07nm/℃

Tensione di esercizio

2.3V


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