Novità di prodotto in evidenza: fotodiodo PIN al silicio

Sep 25, 2025

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Novità di prodotto in evidenza: fotodiodo PIN al silicio

 

Caratteristiche principali

  • Intervallo di risposta spettrale: generalmente da 200 nm a 1100 nm, coprendo i raggi UV fino al vicino-infrarosso.
  • Bassa corrente oscura: garantisce prestazioni a basso-rumore per misurazioni ad alta-precisione.
  • Tempo di risposta rapido: adatto per applicazioni di rilevamento ad alta-velocità.
  • Confezione versatile: disponibile in TO-5, TO-18, TO-46 e altri pacchetti per diverse esigenze di installazione.

Applicazioni

  • Comunicazione ottica: ricezione del segnale e misurazione della potenza ottica.
  • Misurazione della potenza del laser: monitoraggio accurato dell'emissione del laser.
  • Dispositivi medici: utilizzati in dispositivi come i pulsossimetri.
  • Sensori industriali: per il rilevamento della posizione e il controllo dell'automazione.
  • Ricerca scientifica: rilevamento di particelle e monitoraggio delle radiazioni.
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Panoramica del prodotto
Il fotodiodo PIN al silicio è un dispositivo optoelettronico ampiamente utilizzato noto per la sua elevata sensibilità e risposta rapida. Viene comunemente applicato nella comunicazione ottica, nella misurazione della potenza laser, nei dispositivi medici, nei sensori industriali e nella ricerca scientifica.

Questi dispositivi sono disponibili in una varietà di specifiche e opzioni di imballaggio, che li rendono adatti a diverse applicazioni.

Per maggiori dettagli su modelli specifici o scenari applicativi, non esitate a contattarci: saremo felici di aiutarvi.

 

Differenza tra fotodiodo PIN al silicio e fotodiodo InGaAs:

  

Sensibilità alla temperatura

  

Meno sensibile Più sensibile alla temperatura, potrebbe richiedere il raffreddamento per un funzionamento-silenzioso

 

I fotodiodi PIN al silicio sono ideali per applicazioni nella gamma dal visibile al vicino-IR fino a ~1100 nm, convenienti-e ampiamente utilizzati nel rilevamento ottico generale.

I fotodiodi InGaAs sono ottimizzati per lunghezze d'onda del vicino-IR (900–1700 nm) più lunghe, cruciali per applicazioni di telecomunicazioni, fibra-ottica e ad alta-velocità, ma generalmente più costose.

 

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