Barra nuda con diodo laser da 200 W 808 nm

Barra nuda con diodo laser da 200 W 808 nm

Chip laser ad alta potenza da 200 W 808 nm
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Descrizione

 

Barra nuda con diodo laser da 200 W 808 nm

Panoramica

 

Caratteristica:

Divergenza degli anabbaglianti e piccola apertura di emissione della luce

Radiazione laser IR ad alta potenza e intensità del fascio elevato

Ampia varietà di configurazioni di barre

Alta luminosità

Applicazione:

Moduli laser a semiconduttore ad alta-luminosità

Fonte di pompaggio industriale

Illuminazione laser

Dermatologia e Chirurgia

Single Emitter Laser Chip

Scheda dati:

 

Articolo n.: LC808SB200

Operazione  
Lunghezza d'onda centrale 808 nm
Potenza in uscita 200W
Modalità operativa QCW
geometrico  
Larghezza dell'emettitore 120um
Lunghezza della cavità 1500um
Spessore della cavità 120um
Larghezza della cavità 160um
Dati elettro-ottici  
Corrente di soglia 25A
Corrente operativa 190A
Tensione operativa 1.9V
Efficienza della pendenza 1.2W/A
Divergenza dell'asse lento 12
Divergenza dell'asse veloce 39
Larghezza spettrale 4nm
Polarizzazione TE

 

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