Barra nuda per laser a diodi QCW da 300 W 808 nm
Caratteristiche principali:
Semiconduttori basati su InGaAs
Potenza di uscita ottica: 300 watt qcw
Lunga durata, alta affidabilità
Bare bar è una serie di singoli chip laser a semiconduttore, con potenza di uscita combinata da decine di Watt a poche centinaia di Watt.
Il nostro processo proprietario di passivazione delle sfaccettature garantisce l'affidabilità richiesta dalle applicazioni più rigorose.
Ampiamente usato nella bellezza del laser, nel rivestimento laser, nel taglio laser, nella sorgente della pompa, ecc
Specifica:
Articolo n.: LC808SB300
| Ottico | |
| Lunghezza d'onda centrale | 808nm |
| Potenza di uscita ottica | 300W |
| Modalità di lavoro | QCW |
| Larghezza dello spettro | 4nm |
| Numero di emettitori | 60 |
| Larghezza emettitore | 120μm |
| Passo dell'emettitore | 160μm |
| Fattore di riempimento | 75% |
| Larghezza barra | 9900-10100μm |
| Lunghezza cavità | 1490-1510μm |
| Spessore | 110-150μm |
| Divergenza dell'asse veloce (FWHM) | 39 gradi |
| Divergenza lenta dell'asse (FWHM) | 10 gradi |
| Modalità di polarizzazione | TE |
| Efficienza della pendenza | 1.15W/A |
| Elettrico | |
| Iop corrente di esercizio | 280A |
| Soglia corrente Ith | 30A |
| Tensione di esercizio Vop | 1.8V |
| Efficienza di conversione | 55% |
| Termico | |
| temperatura di esercizio | 15-35℃ |
| Coefficiente di temperatura della lunghezza d'onda | 0.28nm/℃ |
Grafico PIV
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