Chip laser a emettitore singolo da 20 W 976 nm

Chip laser a emettitore singolo da 20 W 976 nm per uso medico ed estetico

 

Caratteristiche:

• Modalità di lavoro CW, efficienza pendenza 1W/A
• Divergenza degli anabbaglianti e piccola apertura di emissione della luce
• Chip laser a emettitore singolo
• Design ottimizzato della struttura epitassiale5. Elevata efficienza di conversione di potenza

Applicazione:

• Medicina ed estetica
• Illuminazione laser
• Comunicazione ottica nello spazio libero

Il chip laser è un dispositivo fondamentale indispensabile per lo sviluppo dell'industria laser e il nucleo tecnico dell'intera catena industriale del laser. Chip laser a emettitore singolo da 20 W 976 nm con modalità di lavoro CW e con solo 1 emettitore. L'efficienza di conversione della potenza può raggiungere il 54%.

Parametro tecnico

Articolo n.: LC976SE20

Nome dell'articolo: chip laser a emettitore singolo da 20 W 976 nm

Curva LIV:

I chip laser sono i componenti principali della moderna tecnologia optoelettronica e il loro sistema materiale determina le prestazioni e le aree di applicazione dei laser. In base ai diversi sistemi di materiali, i chip laser sono principalmente suddivisi in serie di luce blu a base di nitruro di gallio (GaN)-, arseniuro di gallio (GaAs), fosfuro di indio (InP), ecc. Questi materiali solitamente esistono sotto forma di composti ternari o quaternari e presentano caratteristiche uniche e vantaggi applicativi.

Il nitruro di gallio (GaN) è un materiale semiconduttore ad ampio gap di banda ampiamente utilizzato nei laser a luce blu grazie alla sua eccellente mobilità degli elettroni e all'elevata conduttività termica. I laser basati sul nitruro di gallio-hanno le caratteristiche di elevata potenza, alta efficienza e lunga durata e sono ampiamente utilizzati in campi quali la lettura di CD, la tecnologia dei display e le apparecchiature mediche.

L'arseniuro di gallio (GaAs) è un importante materiale semiconduttore III-V ampiamente utilizzato nei laser nelle bande dell'infrarosso e del vicino-infrarosso. Il sistema materiale GaAs può essere combinato con elementi come alluminio e antimonio per formare una varietà di composti, come alluminio-gallio-arsenico (AlGaAs) e indio-gallio-arsenico (InGaAs). Questi materiali sono ampiamente utilizzati nelle comunicazioni elettro-ottiche, nell'archiviazione ottica e nella tecnologia radar.

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