Barre e chip laser a diodi a semiconduttore smontati da 10W 808nm

Barre e chip laser a diodi a semiconduttore smontati da 10W 808nm

due diverse larghezze di emettitore per scelta: 190um e 350um
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Descrizione

 



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Chip laser a diodi a semiconduttore non montato da 10 W 808 nm

Bare Chips non legati su Submount


due diverse larghezze di emettitore per scelta: 190um e 350um per diverse applicazioni.





QQ20190116152912

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