Barre e chip laser da 12 W 976 nm
Le barre e i chip laser da 12 W 976 nm sono prodotti secondo i più severi controlli di qualità. Lavoriamo solo con tecnologia all'avanguardia--dell'-epitassia, elaborazione e rivestimento sfaccettato. Per assemblare il chip laser vengono utilizzati metodi di saldatura standard. Il materiale supporta sia la saldatura dolce (indio) che la saldatura dura (oro/stagno). La configurazione standard del chip laser è una struttura di emettitore separata sul lato p-. Su richiesta, i chip laser sono disponibili con metallizzazione p-continua del lato e rivestimenti sfaccettati adattati, utilizzando rivestimenti a basso AR per l'assemblaggio di risonatori esterni
Caratteristiche:
Eccellente saldabilità
Stabilisci lo standard per l'elevata affidabilità nelle applicazioni sul campo
Lotto testato
Lunghezze d'onda disponibili (808-1064 nm)
Modalità di funzionamento CW, 1 emettitore sul chip, modalità di polarizzazione TE
L'efficienza di conversione del nostro chip può raggiungere il 60%
Nuovo design della struttura epitassiale ed epitassia del materiale

Specifica:
Articolo n.: LC976SE12
Nome dell'articolo: chip laser a emettitore singolo da 12 W 976 nm
| Ottico | Tip |
| Lunghezza d'onda centrale | 976nm |
| Potenza in uscita | 12W |
| Modalità di lavoro | CW |
| Larghezza dello spettro | 4nm |
| Numero di emettitore | 1 |
| Larghezza dell'emettitore | 95μm |
| Larghezza della cavità | 390-410μm |
| Lunghezza della cavità | 3990-4010μm |
| Spessore della cavità | 110-150μm |
| Divergenza dell'asse veloce (FWHM) | 29°g |
| Divergenza dell'asse lento (FWHM) | 9° |
| Modalità di polarizzazione | TE |
| Efficienza della pendenza | 1W/A |
| Elettrico | |
| Corrente operativa Iop | 13-14.5A |
| Corrente di soglia Ith | 0.7-1A |
| Tensione operativa Vop | 1.75-1.95V |
| Efficienza di conversione | 58% |
| Termico | |
| Temperatura operativa | 25 gradi |
| Coefficiente di temperatura della lunghezza d'onda | 0,35 nm/grado |
Curva LIV

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